Система магнетронного распыления
Система магнетронного распыления, незаменима для формирования тонкопленочной топологии на поверхности подложек.
Ключевые особенности и опции
• Источник магнетронного распыления размером до 254 мм
• Диаметр подложек до 300 мм
• Возможность создавать многослойные структуры (до четырех мишеней)
• RF или DC источники
• Роботизированная загрузка подложек
• Высоковакуумная система:
- турбомолекулярный вакуумный насос
- криогенный вакуумный насос
• Температура нагрева до 400 °C
• Диаметр подложек до 300 мм
• Возможность создавать многослойные структуры (до четырех мишеней)
• RF или DC источники
• Роботизированная загрузка подложек
• Высоковакуумная система:
- турбомолекулярный вакуумный насос
- криогенный вакуумный насос
• Температура нагрева до 400 °C
Технические характеристики системы
Диаметр подложек:До 300 мм, толщина до 3 мм
Однородность пленок:±5% Ø150 мм для Al, Ti, Cr и др.
Мишень: До четырех мишеней
Размеры: 50, 75, 100, 150, 175 и 254 мм
Магнетрон: Катод SS-100, макс. 4 шт. диаметром 100 мм, с возможностью настройки расстояния между магнетроном и подложкой (опция)
Источник питания:
RF : 0,3 кВт для очистки
RF : 1,0 кВт для диэлектриков
DC: 5,0 кВт для металлов
Предельный вакуум:2 x 10-7 Торр
Скорость натекания:<1,0х10-8 ст. см.куб/с
Температура на подложке:До 350°C
Однородность пленок:±5% Ø150 мм для Al, Ti, Cr и др.
Мишень: До четырех мишеней
Размеры: 50, 75, 100, 150, 175 и 254 мм
Магнетрон: Катод SS-100, макс. 4 шт. диаметром 100 мм, с возможностью настройки расстояния между магнетроном и подложкой (опция)
Источник питания:
RF : 0,3 кВт для очистки
RF : 1,0 кВт для диэлектриков
DC: 5,0 кВт для металлов
Предельный вакуум:2 x 10-7 Торр
Скорость натекания:<1,0х10-8 ст. см.куб/с
Температура на подложке:До 350°C